前言：美國微芯(Microchip)是一家專注于半導(dǎo)體解決方案的公司，其場效應(yīng)管產(chǎn)品在市場上備受青睞。這些產(chǎn)品具有多種特性，例如低電阻、高電流、高速開關(guān)和高溫度容忍度等。它們被廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域，如電源管理、馬達(dá)控制、照明和無線通信等。此外，美國微芯的場效應(yīng)管產(chǎn)品還具有低成本和高可靠性的優(yōu)點，因此被廣泛用于工業(yè)、汽車和消費電子等領(lǐng)域。總之，美國微芯的場效應(yīng)管產(chǎn)品是半導(dǎo)體行業(yè)中備受信賴的解決方案之一。

8月12日MICROCHIP(美國微芯)場效應(yīng)管前10熱門型號具體如下：

1、DN3545N8-G：類型：N溝道 漏源電壓(Vdss)：450V 連續(xù)漏極電流(Id)：200mA 功率(Pd)：1.6W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20Ω@150mA,0V；封裝：SOT-89-3。

2、DN3545N8-G：類型：N溝道 漏源電壓(Vdss)：450V 連續(xù)漏極電流(Id)：200mA 功率(Pd)：1.6W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20Ω@150mA,0V；封裝：SOT-89-3。

3、DN3545N8-G：類型：N溝道 漏源電壓(Vdss)：450V 連續(xù)漏極電流(Id)：200mA 功率(Pd)：1.6W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20Ω@150mA,0V；封裝：SOT-89-3。

4、DN3545N8-G：類型：N溝道 漏源電壓(Vdss)：450V 連續(xù)漏極電流(Id)：200mA 功率(Pd)：1.6W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20Ω@150mA,0V；封裝：SOT-89-3。

5、DN2540N3-G：類型：N溝道 漏源電壓(Vdss)：400V 連續(xù)漏極電流(Id)：120mA 功率(Pd)：1W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25Ω@0V,120mA；封裝：TO-92-3。

6、DN2540N3-G：類型：N溝道 漏源電壓(Vdss)：400V 連續(xù)漏極電流(Id)：120mA 功率(Pd)：1W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25Ω@0V,120mA；封裝：TO-92-3。

7、DN2540N3-G：類型：N溝道 漏源電壓(Vdss)：400V 連續(xù)漏極電流(Id)：120mA 功率(Pd)：1W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25Ω@0V,120mA；封裝：TO-92-3。

8、DN2540N3-G：類型：N溝道 漏源電壓(Vdss)：400V 連續(xù)漏極電流(Id)：120mA 功率(Pd)：1W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25Ω@0V,120mA；封裝：TO-92-3。

9、DN2540N3-G：類型：N溝道 漏源電壓(Vdss)：400V 連續(xù)漏極電流(Id)：120mA 功率(Pd)：1W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25Ω@0V,120mA；封裝：TO-92-3。

10、VP2206N3-G：類型：P溝道 漏源電壓(Vdss)：60V 連續(xù)漏極電流(Id)：640mA 功率(Pd)：740mW 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：900mΩ@3.5A,10V；封裝：TO-92-3。

以上就是8月12日MICROCHIP(美國微芯)場效應(yīng)管前10熱門型號匯總，如果您需要了解以上產(chǎn)品手冊和價格，請聯(lián)系我們客服，客服微信：13310830171。

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