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8月29日ROHM(羅姆)IGBT管前8熱門(mén)型號(hào)

來(lái)源：中芯巨能| 發(fā)布日期：2023-08-29 16:35:00 瀏覽量：

ROHM(羅姆)是一家知名的半導(dǎo)體元器件制造商，其生產(chǎn)的IGBT管在市場(chǎng)上備受歡迎。本文將介紹ROHM(羅姆)IGBT管前8熱門(mén)型號(hào)。

1. RGS80TSX2DHRC11：該型號(hào)IGBT管采用溝槽場(chǎng)截止類型，功率為555W，集射極擊穿電壓為1.2kV，集電極電流為80A，封裝為T(mén)O-247-3。

2. RGS80TSX2HRC11：該型號(hào)IGBT管采用溝槽場(chǎng)截止類型，功率為555W，集射極擊穿電壓為1.2kV，集電極電流為80A，封裝為T(mén)O-247N。

3. RGT40NL65DGTL：該型號(hào)IGBT管采用溝槽場(chǎng)截止類型，功率為161W，集射極擊穿電壓為650V，集電極電流為40A，封裝為L(zhǎng)PDS。

4. RGTH60TS65DGC13：該型號(hào)IGBT管采用溝槽場(chǎng)截止類型，功率為194W，集射極擊穿電壓為650V，集電極電流為58A，封裝為T(mén)O-247GE。

5. RGT50NS65DGTL：該型號(hào)IGBT管采用溝槽場(chǎng)截止類型，功率為194W，集射極擊穿電壓為650V，集電極電流為48A，封裝為T(mén)O-263。

6. RGT00TS65DGC11：該型號(hào)IGBT管采用溝槽場(chǎng)截止類型，功率為277W，集射極擊穿電壓為650V，集電極電流為85A，封裝為T(mén)O-247-3。

7. RGT30NS65DGTL：該型號(hào)IGBT管采用溝槽場(chǎng)截止類型，功率為133W，集射極擊穿電壓為650V，集電極電流為30A，封裝為T(mén)O-263。

8. RGS30TSX2DHRC11：該型號(hào)IGBT管采用溝槽場(chǎng)截止類型，功率為267W，集射極擊穿電壓為1.2kV，集電極電流為30A，封裝為T(mén)O-247N。

中芯巨能是ROHM(羅姆)的全系列半導(dǎo)體產(chǎn)品銷售專家，提供ROHM(羅姆)全系列產(chǎn)品選型或者解決方案。中芯巨能還提供ROHM(羅姆)公司產(chǎn)品技術(shù)文檔下載，并且是ROHM(羅姆)原廠代理商授權(quán)。中芯巨能保證每一顆芯片都來(lái)自源頭，并且免費(fèi)給終端客戶提供樣片測(cè)試。現(xiàn)貨庫(kù)存最快2小時(shí)發(fā)貨。如有需要，請(qǐng)撥打24小時(shí)電話：13310830171（微信同號(hào)）。


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