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HGTG30N60A4D是安森美的一款Vce=600V,Ic=75A,Vce(sat)=1.8V的MOSFET ,代理銷售onsemi(安森美)旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能為您提供HGTG30N60A4D中文參數(shù)、產(chǎn)品手冊及現(xiàn)貨。
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制造商產(chǎn)品型號:HGTG30N60A4D
制造商:ON Semiconductor
描述:IGBT 600V 75A 463W TO247
系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
產(chǎn)品系列:-
零件狀態(tài):不適用於新設(shè)計
IGBT類型:-
電壓-集射極擊穿(最大值):600V
電流-集電極(Ic)(最大值):75A
電流-集電極脈沖(Icm):240A
不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,30A
功率-最大值:463W
開關(guān)能量:280μJ(開),240μJ(關(guān))
輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷:225nC
25°C時Td(開/關(guān))值:25ns/150ns
測試條件:390V,30A,3 歐姆,15V
反向恢復(fù)時間(trr):55ns
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝:TO-247-3
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成本方案,盡可能減少成本
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