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HGTG30N60A4D onsemi(安森美) MOSFET

HGTG30N60A4D是安森美的一款Vce=600V,Ic=75A,Vce(sat)=1.8V的MOSFET ,代理銷售onsemi(安森美)旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能為您提供HGTG30N60A4D中文參數(shù)、產(chǎn)品手冊及現(xiàn)貨。

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HGTG30N60A4D中文參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號:HGTG30N60A4D

制造商:ON Semiconductor

描述:IGBT 600V 75A 463W TO247

系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列:-

零件狀態(tài):不適用於新設(shè)計

IGBT類型:-

電壓-集射極擊穿(最大值):600V

電流-集電極(Ic)(最大值):75A

電流-集電極脈沖(Icm):240A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,30A

功率-最大值:463W

開關(guān)能量:280μJ(開),240μJ(關(guān))

輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷:225nC

25°C時Td(開/關(guān))值:25ns/150ns

測試條件:390V,30A,3 歐姆,15V

反向恢復(fù)時間(trr):55ns

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:通孔

封裝:TO-247-3

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原廠渠道資源

原廠渠道資源長期穩(wěn)定供貨

常年備貨RENESAS(瑞薩)/IDT、Xilinx、Infineon、TI、AOS、中微愛芯、ST等品牌現(xiàn)貨庫存,現(xiàn)貨供應(yīng)邏輯器件、數(shù)字信號處理器、單片機/微控制器、場效應(yīng)管、IGBT單管、電源管理等,滿足電子元器件及時性采購與開發(fā)需求

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建立快反機制提高產(chǎn)品交付力

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多重成本管理合理減少客戶成本

精細化成本管理,合理管控時間成本、采購成本,縮短采購周期
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成本方案,盡可能減少成本

原廠貨源品質(zhì)

原廠貨源品質(zhì)支持第三方檢測

原廠授權(quán)正規(guī)渠道直接采購,可追溯原廠品質(zhì),支持第三方檢測,從開發(fā)到批量生產(chǎn),確保每一個產(chǎn)品的穩(wěn)定性;成熟的倉儲管理,嚴(yán)格控制倉庫溫濕度,保證庫存過程中產(chǎn)品的完好

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