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2SK3878 東芝半導(dǎo)體 MOSFET

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2SK3878 是一款 N 溝道功率 MOSFET，設(shè)計(jì)用于高速開關(guān)應(yīng)用。 該晶體管由東芝半導(dǎo)體制造，具有低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)能力，適用于各種電子設(shè)備和電源電路，是逆變焊機(jī)電子元器件常用型號(hào)。
 

以下是 2SK3878 的主要規(guī)格：

1. 額定電壓（漏極至源極）：VDSS = 900V。 該值表示柵極無偏置時(shí)可在漏極端子和源極端子之間施加的最大允許電壓。

2. 額定電流 (ID)：連續(xù)漏極電流指定為 9A。 這表示晶體管完全導(dǎo)通時(shí)可以流過漏極端子的最大連續(xù)電流。

3. 功耗(PD)：2SK3878的功耗為50W，這意味著當(dāng)正確安裝到合適的散熱器時(shí)，設(shè)備在不損壞其內(nèi)部結(jié)構(gòu)的情況下可以安全處理的最大熱量為50瓦。

4. 柵極閾值電壓（VGS(th)）：柵極閾值電壓表示導(dǎo)通 MOSFET 所需的最小電壓。 對(duì)于 2SK3878，其額定電壓介于 2V 和 4V 之間。

5. 漏源導(dǎo)通電阻 (RDS(on))：在 VGS = 10V 和 ID = 4.5A 時(shí)，2SK3878 的導(dǎo)通電阻通常為 0.75Ω。 RDS(on)值表征MOSFET完全導(dǎo)通時(shí)的電阻，影響器件的整體效率。

6. 封裝：2SK3878 采用 TO-3P(N) 封裝，專為通孔安裝在印刷電路板上而設(shè)計(jì)。2SK3878規(guī)格書聯(lián)系客服：13310830171  索要。

2SK3878 的價(jià)格：
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多重成本管理合理減少客戶成本

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