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近日，揚杰科技自主研發(fā)的11款產(chǎn)品成功入選由上海市集成電路協(xié)會主編的《2024長三角汽車芯片產(chǎn)品手冊》。這一成就不僅展示了揚杰科技在汽車芯片領(lǐng)域的技術(shù)實力和創(chuàng)新能力，也進(jìn)一步提升了揚杰科技在功率MOSFET、IGBT和SiC（第三代半導(dǎo)體，碳化硅）業(yè)務(wù)產(chǎn)品中的知名度和客戶信任度。
功率芯片 / Power Chip
IGBT單管:
DGW40N120CTLQ
DGW40N65CTLQ
SiC MOSFET:
YJD212080NCTG10
YJD212080NCFG10
YJD212040NCTG1Q
YJD21204NCTG20
YJD212040NCFG10
YJD206550NCFGHO
SiC 二極管:
YJD106520BOG30
功率MOSFET:
YJT300G10AO
YJT1D3G04HO
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這些產(chǎn)品的成功入選，充分展示了揚杰科技在汽車芯片領(lǐng)域的技術(shù)實力和創(chuàng)新能力。此次入選的產(chǎn)品包括2款I(lǐng)GBT單管、7款SiC MOSFET和2款功率MOSFET，共計11款。
在工業(yè)控制和電力電子應(yīng)用中，選擇合適的絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）對于系統(tǒng)的性能和可靠性至關(guān)重要。揚杰科技推出的DGW50N120CTL1J是一款采用TO-247封裝的50A 1200V IGBT單管，具備低導(dǎo)通損耗、高可靠性和環(huán)保特性。代理銷售揚杰科技旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能將詳細(xì)介紹這款...【詳情+】
揚杰科技的GBU-L系列整流橋采用了全新的封裝設(shè)計，相較于傳統(tǒng)的GBU封裝，在保持原有優(yōu)異性能的基礎(chǔ)上實現(xiàn)了顯著的成本降低。通過優(yōu)化內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計和采用減薄銅框架技術(shù)，該系列產(chǎn)品不僅減少了材料耗用，還確保了在常規(guī)電性、高溫性能及散熱能力方面與原產(chǎn)品無明顯差異。這使得GBU-L系...【詳情+】
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