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中微愛芯馬達(dá)驅(qū)動(dòng)芯片-中微愛芯馬達(dá)驅(qū)動(dòng)芯片型號大全-中微愛芯授權(quán)代理商

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中微愛芯馬達(dá)驅(qū)動(dòng)芯片型號大全：（需要規(guī)格書或申請樣片測試，請咨詢在線客服或者加客服微信：13310830171）

型號 描述 關(guān)鍵參數(shù)
AiP6208 AiP6208是為控制和驅(qū)動(dòng)雙向馬達(dá)設(shè)計(jì)的專用集成電路。該電路輸入端兼容TTL/CMOS電平，具有良好的抗干擾性；內(nèi)部邏輯控制電路可控制雙向馬達(dá)正轉(zhuǎn)、反轉(zhuǎn)和剎車；該電路功率管能通過典型值為100mA的持續(xù)電流；該電路內(nèi)置的鉗位二極管能釋放感性負(fù)載的反向沖擊電流。

  • 低靜態(tài)工作電流

  • 電源電壓范圍：4V～5.5V

  • 每通道連續(xù)電流輸出能力（典型值：100mA）

  • 較低的飽和壓降

  • 輸出具有正轉(zhuǎn)、反轉(zhuǎn)、剎車和高阻四種狀態(tài)

  • TTL/CMOS輸出電平兼容，可直接連CPU

  • 輸出內(nèi)置鉗位二極管，適用于感性負(fù)載

  • 控制和驅(qū)動(dòng)集成于單片IC之中

  • 具備管腳高壓保護(hù)功能

  • 工作溫度范圍：-40℃～+85℃

  • 封裝形式：SOP8
AiP6150 該產(chǎn)品為 12V/20V 供電的風(fēng)扇搖頭電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)等應(yīng)用提供了一種集成的直流馬達(dá)驅(qū)動(dòng)解決方案。電路內(nèi)部集成了采用N溝和P溝功率 MOSFET 設(shè)計(jì)的H橋驅(qū)動(dòng)電路。適應(yīng)于驅(qū)動(dòng)直流馬達(dá)或者驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)馬達(dá)的一個(gè)繞組。該電路具備較寬的工作電壓范圍（從8V到20V），最大持續(xù)輸出電流到0.7A，最大峰值輸出電流達(dá)到1.5A。

  • 低待機(jī)電流（小于1uA）；

  • 低靜態(tài)工作電流；

  • 集成的H橋驅(qū)動(dòng)電路；

  • 內(nèi)置防共態(tài)導(dǎo)通電路；

  • 低導(dǎo)通內(nèi)阻的功率MOSFET管；

  • 內(nèi)置帶遲滯效應(yīng)的過熱保護(hù)電路（TSD）；

  • 過流保護(hù)；

  • 封裝形式：SOP8
AiP6150H 該產(chǎn)品采用H橋電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，采用高可靠性功率管工藝，特別適合驅(qū)動(dòng)線圈、馬達(dá)等感性負(fù)載。電路內(nèi)部集成N溝道和P溝道功率MOSFET，工作電壓范圍覆蓋8V到24V。27℃，VM=24V條件下SOP8封裝最大持續(xù)輸出電流達(dá)到0.55A，最大峰值輸出電流達(dá)到1.5A。

  • 低待機(jī)電流

  • 低導(dǎo)通內(nèi)阻MOSFET功率開關(guān)管

        采用MOS工藝設(shè)計(jì)功率管

        12V供電500毫安通道功率管內(nèi)阻2.9歐姆

  • 較小的輸入電流

        集成約106K對地下拉電阻 

        5V驅(qū)動(dòng)信號平均47uA輸入電流

  • 內(nèi)置帶遲滯效應(yīng)的過熱保護(hù)電路（TSD)

  • 內(nèi)置限流保護(hù)電路，輸出對地短路，輸出與輸出短路，不燒電路

  • 抗靜電等級：2KV（HBM）

  • 工作環(huán)境溫度范圍：-40～+85℃

  • 封裝形式：SOP8
AiP6151 該產(chǎn)品為 12V/20V 供電的風(fēng)扇搖頭電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)等應(yīng)用提供了一種集成的直流馬達(dá)驅(qū)動(dòng)解決方案。電路內(nèi)部集成了采用N溝和P溝功率 MOSFET 設(shè)計(jì)的H橋驅(qū)動(dòng)電路。適應(yīng)于驅(qū)動(dòng)直流馬達(dá)或者驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)馬達(dá)的一個(gè)繞組。該電路具備較寬的工作電壓范圍（從8V到20V），最大持續(xù)輸出電流到1A，最大峰值輸出電流達(dá)到1.5A。

  • 低待機(jī)電流（小于1uA）；

  • 低靜態(tài)工作電流；

  • 集成的H橋驅(qū)動(dòng)電路；

  • 內(nèi)置防共態(tài)導(dǎo)通電路；

  • 低導(dǎo)通內(nèi)阻的功率MOSFET管；

  • 內(nèi)置帶遲滯效應(yīng)的過熱保護(hù)電路（TSD）；

  • 過流保護(hù)；

  • 封裝形式：ESOP8
AiP6151H 該產(chǎn)品采用H橋電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，采用高可靠性功率管工藝，特別適合驅(qū)動(dòng)線圈、馬達(dá)等感性負(fù)載。電路內(nèi)部集成N溝道和P溝道功率MOSFET，工作電壓范圍覆蓋8V到24V。27℃，VM=24V條件下ESOP8封裝最大持續(xù)輸出電流達(dá)到0.75A，最大峰值輸出電流達(dá)到1.5A。

  • 低待機(jī)電流

  • 低導(dǎo)通內(nèi)阻MOSFET功率開關(guān)管

        采用MOS工藝設(shè)計(jì)功率管

        12V供電500毫安通道功率管內(nèi)阻2.9歐姆

  • 較小的輸入電流

        集成約106K對地下拉電阻 

        5V驅(qū)動(dòng)信號平均47uA輸入電流

  • 內(nèi)置帶遲滯效應(yīng)的過熱保護(hù)電路（TSD)

  • 內(nèi)置限流保護(hù)電路，輸出對地短路，輸出與輸出短路，不燒電路

  • 抗靜電等級：2KV（HBM）

  • 工作環(huán)境溫度范圍：-40～+85℃

  • 封裝形式：ESOP8
AiP6189 AiP6189是BICMOS工藝的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路，均具有良好的抗干擾能力；兩個(gè)輸出可直接驅(qū)動(dòng)電機(jī)前進(jìn)和后退，具有3A的電流驅(qū)動(dòng)能力，并且輸出飽和壓降和靜態(tài)電流低；內(nèi)置鉗位二極管可消除感性負(fù)載電流的影響，使其在驅(qū)動(dòng)繼電器，直流電機(jī)，步進(jìn)電機(jī)或控制開關(guān)電源的使用中安全可靠。
AiP6189適用于玩具類電機(jī)驅(qū)動(dòng)（遙控、飛機(jī)電機(jī)驅(qū)動(dòng)）、自動(dòng)門電機(jī)、電磁門鎖驅(qū)動(dòng)、精密儀器等電路。

  • 靜態(tài)電流小于2uA

  • 電源電壓范圍寬3.0V～13.0V

  • 過溫保護(hù)電路

  • 過流嵌流及短路保護(hù)功能

  • 內(nèi)置鉗位二極管

  • 內(nèi)置緊急停止功能（當(dāng)兩個(gè)輸入同時(shí)為高時(shí)）

  • 封裝形式：SOP8
L9110S L9110S是一款直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，該產(chǎn)品為電池供電的玩具、低壓或電池供電的控制應(yīng)用提供了一種集成直流馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的解決方案。電路內(nèi)部集成了采用MOS管設(shè)計(jì)的H橋驅(qū)動(dòng)電路。
主要應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)通用直流電機(jī)。

  • 內(nèi)置功率管實(shí)現(xiàn)電機(jī)橋式驅(qū)動(dòng)

  • 待機(jī)電流低

  • CMOS工藝實(shí)現(xiàn)

  • 典型電壓值：5V

  • 驅(qū)動(dòng)能力：VDD1=VDD2=4.5V，輸出電流可達(dá)400mA

  • 通用直流馬達(dá)驅(qū)動(dòng)

  • 封裝形式：SOP8、DFN8 

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