全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商ROHM近日宣布，其TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列已進(jìn)入量產(chǎn)階段。這款新型器件不僅在體積和厚度上顯著縮小，還提升了散熱性能，使其成為服務(wù)器電源、儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）及超薄電源等高功率密度應(yīng)用的理想選擇。

高效散熱與緊湊設(shè)計(jì)兼得

ROHM的SCT40xxDLL系列產(chǎn)品通過(guò)采用TOLL封裝，在保持高性能的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了顯著的小型化。與傳統(tǒng)的TO-263-7L封裝相比，新產(chǎn)品的器件面積減少了約26%，厚度更是從4.5 mm減至僅2.3 mm。盡管體型更小更薄，但其散熱性能卻提升了約39%，這使得該系列產(chǎn)品能夠在緊湊的空間內(nèi)支持更高的功率輸出。

值得一提的是，雖然許多TOLL封裝的同類(lèi)產(chǎn)品通常提供650V的漏源額定電壓，但ROHM的新品將這一數(shù)值提升至750V。這意味著即使在考慮浪涌電壓的情況下，也能有效抑制柵極電阻，從而有助于降低開(kāi)關(guān)損耗，進(jìn)一步提升系統(tǒng)效率。

應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求的創(chuàng)新解決方案

隨著AI服務(wù)器、小型光伏逆變器等應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)功率密度要求的不斷提高，市場(chǎng)對(duì)于既能提高功率密度又滿(mǎn)足小型化需求的功率MOSFET呼聲日益高漲。特別是對(duì)于被稱(chēng)為“卡片式”的超薄電源，其圖騰柱PFC電路的設(shè)計(jì)必須符合厚度不超過(guò)4 mm的苛刻標(biāo)準(zhǔn)。為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，ROHM開(kāi)發(fā)了這款厚度僅為2.3 mm的TOLL封裝SiC MOSFET，遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)封裝產(chǎn)品的4.5 mm厚度。

豐富的產(chǎn)品陣容與廣泛應(yīng)用

ROHM此次推出的SCT40xxDLL系列包括以下六款型號(hào)：

SCT4013DLL

SCT4020DLL

SCT4026DLL

SCT4036DLL

SCT4045DLL

SCT4065DLL

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每款產(chǎn)品均具備不同的導(dǎo)通電阻值，以適應(yīng)多樣化的應(yīng)用場(chǎng)景。例如：

工業(yè)設(shè)備：適用于AI服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心電源、光伏逆變器以及儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）。這些領(lǐng)域?qū)Ω咝堋⒏呖煽啃院途o湊設(shè)計(jì)有著嚴(yán)格要求。

消費(fèi)電子：可用于各類(lèi)一般電源，尤其是那些需要兼顧性能與空間限制的應(yīng)用場(chǎng)景。

技術(shù)優(yōu)勢(shì)與實(shí)際應(yīng)用

除了上述提到的尺寸和散熱方面的改進(jìn)，SCT40xxDLL系列還具有以下技術(shù)亮點(diǎn)：

低導(dǎo)通電阻：有助于減少傳導(dǎo)損耗，提高整體轉(zhuǎn)換效率。

快速開(kāi)關(guān)特性：得益于SiC材料的優(yōu)越性能，能夠?qū)崿F(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)速度，降低開(kāi)關(guān)損耗。

高可靠性：通過(guò)嚴(yán)格的測(cè)試驗(yàn)證，確保在惡劣環(huán)境下仍能穩(wěn)定運(yùn)行。

在具體應(yīng)用中，如數(shù)據(jù)中心的電源管理系統(tǒng)，SCT40xxDLL系列可以有效提升系統(tǒng)的功率密度，同時(shí)減少散熱設(shè)計(jì)的復(fù)雜性。而在光伏逆變器和ESS系統(tǒng)中，其高效的能量轉(zhuǎn)換能力和緊湊的設(shè)計(jì)則有助于節(jié)省安裝空間，提高系統(tǒng)的整體性能。