近日，英飛凌科技正式推出第二代CoolSiC? MOSFET 1200V系列新品，型號覆蓋IMZA120R012M2H至IMZA120R078M2H共八款器件。該系列產(chǎn)品采用TO247-4引腳（IMZA）封裝，在保持與現(xiàn)有系統(tǒng)安裝兼容的基礎上，全面升級性能表現(xiàn)，為光伏、儲能、電動汽車充電、UPS及工業(yè)驅(qū)動等高功率應用提供更高效、緊湊且可靠的解決方案。

CoolSiC? MOSFET 1200V系列新品產(chǎn)品型號

IMZA120R012M2H

IMZA120R017M2H

IMZA120R022M2H

IMZA120R026M2H

IMZA120R034M2H

IMZA120R040M2H

IMZA120R053M2H

IMZA120R078M2H

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性能躍升：更低損耗，更高效率

第二代CoolSiC? MOSFET在開關性能和可靠性方面實現(xiàn)顯著突破。得益于優(yōu)化的.XT擴散焊技術(shù)與器件結(jié)構(gòu)設計，其開關損耗較前代降低達25%，總功率損耗減少約10%。實測數(shù)據(jù)顯示，在典型工況下，MOSFET工作結(jié)溫可降低11℃，有效提升系統(tǒng)長期運行穩(wěn)定性。

這一性能提升直接轉(zhuǎn)化為系統(tǒng)級優(yōu)勢：更高的能效表現(xiàn)不僅延長設備壽命，還允許縮小散熱器尺寸甚至取消主動風冷，從而簡化熱管理設計、降低整機成本。

核心特性：面向高頻高可靠設計

優(yōu)異的開關品質(zhì)因數(shù)（FOM）：在硬開關與軟開關拓撲中均表現(xiàn)出更低延遲與損耗，適用于圖騰柱PFC、LLC諧振、三相逆變等多種主流AC-DC、DC-DC和DC-AC架構(gòu)。

2μs短路耐受能力：增強器件在異常工況下的魯棒性，提高系統(tǒng)安全性。

抗寄生導通與米勒效應抑制：通過優(yōu)化閾值電壓（VGS(th)）分布和柵極設計，顯著降低誤觸發(fā)風險，提升并聯(lián)工作的穩(wěn)定性和一致性。

易于并聯(lián)擴展：得益于低動態(tài)電流不平衡和高抗干擾能力，多管并聯(lián)設計更簡單，適用于大功率模塊化系統(tǒng)。

封裝與兼容性：無縫替換，加速量產(chǎn)

IMZA封裝采用4引腳開爾文源極結(jié)構(gòu)，分離功率源極與信號源極，有效減少共源電感影響，確保高速開關下的驅(qū)動穩(wěn)定性。同時，該封裝與標準TO247-4L插槽完全兼容，客戶可在不修改PCB布局的情況下實現(xiàn)平滑升級，大幅縮短產(chǎn)品開發(fā)周期。

應用價值：推動高功率系統(tǒng)小型化與高效化

憑借更低損耗和更高開關頻率支持能力，第二代CoolSiC? MOSFET助力電源系統(tǒng)實現(xiàn)：

更高功率密度：減小磁性元件和濾波電容體積；

冷卻系統(tǒng)優(yōu)化：降低散熱需求，支持無風扇設計；

高可靠性設計：滿足工業(yè)級嚴苛環(huán)境要求，提升MTBF（平均無故障時間）；

全拓撲適配：適用于所有常見功率變換組合，具備廣泛適用性。

市場定位：引領碳化硅技術(shù)普及

隨著新能源市場對效率、成本與可靠性的綜合要求不斷提升，英飛凌通過規(guī)模化制造與工藝優(yōu)化，正推動碳化硅器件從“高性能”向“高性價比”演進。此次發(fā)布的第二代CoolSiC? MOSFET已在多家頭部客戶的光伏逆變器與充電樁項目中完成驗證，展現(xiàn)出卓越的量產(chǎn)成熟度。

未來，該平臺將持續(xù)拓展在能源基礎設施中的應用邊界，為構(gòu)建更智能、更高效的電力電子生態(tài)系統(tǒng)提供關鍵支撐。