近日，納芯微電子正式推出基于Arm? Cortex?-M7內(nèi)核的NS800RT113x系列高性能MCU，瞄準(zhǔn)電機(jī)控制、電力電子與工業(yè)自動(dòng)化等對(duì)算力和實(shí)時(shí)性要求嚴(yán)苛的應(yīng)用場(chǎng)景，致力于解決傳統(tǒng)MCU在復(fù)雜控制任務(wù)中日益凸顯的性能瓶頸。

隨著智能電機(jī)、新能源發(fā)電、儲(chǔ)能系統(tǒng)等技術(shù)快速發(fā)展，行業(yè)對(duì)控制器的運(yùn)算能力、響應(yīng)速度與外設(shè)精度提出了更高要求。盡管Cortex-M4仍是當(dāng)前主流MCU的核心選擇，但其在高階控制算法處理、多軸協(xié)同控制等方面已逐漸觸及性能天花板。納芯微此次推出的NS800RT1135/1137型號(hào)，搭載主頻高達(dá)200MHz的Cortex-M7內(nèi)核，在DMIPS/Hz和CoreMark/Hz性能上相較M4分別提升83%和49%，并原生支持TCM（緊耦合內(nèi)存），實(shí)現(xiàn)指令與數(shù)據(jù)的零等待訪問(wèn)，顯著增強(qiáng)實(shí)時(shí)響應(yīng)能力。

更值得關(guān)注的是，該系列集成了納芯微自研的mMATH數(shù)學(xué)加速核，可高效執(zhí)行三角函數(shù)、指數(shù)對(duì)數(shù)等超越函數(shù)及浮點(diǎn)運(yùn)算，大幅減輕CPU負(fù)擔(dān)，使復(fù)雜控制算法如FOC、SVPWM等執(zhí)行效率提升數(shù)倍。配合最大256KB帶ECC保護(hù)的Flash與80KB TCM，系統(tǒng)在高負(fù)載下仍能保持穩(wěn)定可靠運(yùn)行。

在外設(shè)層面，NS800RT113x系列展現(xiàn)出極強(qiáng)的控制適應(yīng)性。其集成14路PWM輸出，由專(zhuān)用事件管理器調(diào)度，支持最多8個(gè)比較點(diǎn)配置，其中兩路高精度PWM分辨率可達(dá)80ps，滿足高頻、高精度電源與電機(jī)驅(qū)動(dòng)需求。片內(nèi)ADC采樣率高達(dá)4.375Msps，支持雙組21通道同步采集，適用于多相電流電壓實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。此外，創(chuàng)新集成的兩個(gè)CLB（Configurable Logic Block）可編程邏輯模塊，允許用戶實(shí)現(xiàn)自定義時(shí)序控制、硬件級(jí)保護(hù)邏輯，有效降低對(duì)外部FPGA或CPLD的依賴(lài)，簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)并提升可靠性。

接口方面，芯片提供3路UART、2路SPI、2路I2C及1路CAN 2.0，便于構(gòu)建多節(jié)點(diǎn)工業(yè)通信網(wǎng)絡(luò)。封裝涵蓋LQFP64、LQFP48、QFN48與QFN32，兼顧性能與空間限制，適用于緊湊型終端設(shè)備。

NS800RT113x系列選型表

NS800RT1137-DQFEY2

NS800RT1137-DQFFY2

NS800RT1137-DQNFY2

NS800RT1137-DQNGY2

NS800RT1135-DQFEY2

NS800RT1135-DQFFY2

NS800RT1135-DQNFY2

NS800RT1135-DQNGY2

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納芯微表示，NS800RT113x系列以“高性能+高性?xún)r(jià)比”為核心定位，旨在降低M7內(nèi)核MCU的應(yīng)用門(mén)檻。在當(dāng)前“算力單價(jià)”成為關(guān)鍵指標(biāo)的背景下，該產(chǎn)品讓開(kāi)發(fā)者能以接近M4的成本獲得M7級(jí)別的處理能力，推動(dòng)高端控制技術(shù)向更廣泛市場(chǎng)滲透。

此次發(fā)布不僅標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)MCU在高性能實(shí)時(shí)控制領(lǐng)域的進(jìn)一步突破，也為工業(yè)、能源、消費(fèi)電子等行業(yè)提供了更具競(jìng)爭(zhēng)力的國(guó)產(chǎn)化解決方案。隨著生態(tài)配套逐步完善，NS800RT113x有望成為下一代智能控制器的核心引擎。