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熱搜關(guān)鍵詞:
隨著高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)中GPU和ASIC算力的持續(xù)提升,其供電需求正面臨前所未有的挑戰(zhàn):更低的輸出電壓(<1V)、更高的負(fù)載電流、更劇烈的瞬態(tài)變化。在這些條件下,傳統(tǒng)多相降壓轉(zhuǎn)換器采用分立電感(Discrete Inductor, DL)方案已難以兼顧效率、瞬態(tài)響應(yīng)與尺寸限制。為應(yīng)對(duì)這一難題,ADI提出基于專利耦合電感(Coupled Inductor, CL)技術(shù)的解決方案,顯著優(yōu)化了低電壓大電流應(yīng)用的電源性能。
在ADAS供電場(chǎng)景中,負(fù)載電壓常低于1V(如0.8V),而輸入電壓典型值為5V或更高。當(dāng)發(fā)生卸載瞬態(tài)(load dump)時(shí),驅(qū)動(dòng)電感電流下降的電壓差僅為VOUT,遠(yuǎn)小于加載瞬態(tài)時(shí)的(VIN – VOUT)。這意味著卸載瞬態(tài)響應(yīng)速度受限,需依賴大量輸出陶瓷電容(COUT)來抑制電壓過沖。然而,增加COUT不僅提高成本與PCB面積,在汽車應(yīng)用中也因空間受限而不可行。
此外,汽車領(lǐng)域?qū)﹄姶鸥蓴_(EMI)的嚴(yán)苛要求迫使開關(guān)頻率(FS)通常高于2 MHz,這雖有助于減小電感值,但對(duì)電感本身的性能提出了更高要求。
與傳統(tǒng)DL不同,耦合電感通過磁耦合繞組實(shí)現(xiàn)相間電流紋波抵消。其性能可通過品質(zhì)因數(shù)(Figure of Merit, FOM) 量化:
FOM = (歸一化瞬態(tài)擺率) / (歸一化電流紋波)
對(duì)于分立電感,F(xiàn)OM = 1。而耦合電感通過優(yōu)化漏感(LK)與互感(LM)之比,可顯著提升FOM。ADI采用的Notch型耦合電感(NCL)結(jié)構(gòu),旨在最大化LM/LK比,從而在相同條件下實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的紋波抑制與更快的瞬態(tài)響應(yīng)。
針對(duì)VIN = 5V、VOUT = 0.8V、FS = 2.1MHz、8相系統(tǒng)的應(yīng)用需求,ADI開發(fā)了NCL0804-4-R17四相耦合電感模塊。該設(shè)計(jì)采用4相構(gòu)建塊(可級(jí)聯(lián)為8相),高度控制在4.0 mm最大值,滿足車載空間限制。

關(guān)鍵參數(shù):
漏感 LK ≈ 17 nH
總電感 OCL = LM + LK = 100 nH
相間距 6.9 mm
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實(shí)驗(yàn)表明,NCL方案在效率與瞬態(tài)性能上全面超越DL:
電流紋波:相比DL = 32 nH方案,NCL紋波降低2.35倍。
瞬態(tài)擺率:NCL加載/卸載速度提升1.88倍。
綜合FOM:達(dá)到4.4,即在相同紋波下瞬態(tài)快4.4倍,或在相同瞬態(tài)下紋波降低4.4倍。
效率測(cè)試顯示,在5V轉(zhuǎn)0.8V、四相配置下,NCL方案比DL = 32 nH提升約2%,主要得益于更低的RMS電流和交流損耗。即使與更高電感值(DL = 100 nH, h = 6.4 mm)對(duì)比,NCL在效率相當(dāng)?shù)那闆r下,瞬態(tài)速度仍快5.9倍。
NCL方案的優(yōu)勢(shì)在于在有限高度內(nèi)實(shí)現(xiàn)性能突破。若采用DL方案達(dá)到同等效率,需使用100 nH電感,但其高度超標(biāo)且瞬態(tài)響應(yīng)嚴(yán)重滯后。
未來,可探索將NCL置于PCB底部、緊鄰GPU陶瓷旁路的垂直供電(VPD)布局,進(jìn)一步縮短功率回路,提升高頻瞬態(tài)效率。這種架構(gòu)雖需重構(gòu)系統(tǒng)布局,但有望成為下一代高密度車載電源的主流方案。
ADI的NCL耦合電感技術(shù)為ADAS等低電壓、高動(dòng)態(tài)負(fù)載應(yīng)用提供了突破性的電源解決方案。通過磁耦合實(shí)現(xiàn)紋波抵消與快速瞬態(tài)響應(yīng),NCL0804-4在4mm高度限制下實(shí)現(xiàn)了FOM 4.4倍的性能提升,有效減少了對(duì)輸出電容的依賴,為高集成度車載電子系統(tǒng)提供了高效、緊湊的供電路徑。