LTC7891是Linear Technology（現(xiàn)為ADI公司）一款專為驅(qū)動(dòng)全N通道氮化鎵（GaN）FET功率級(jí)而優(yōu)化的高性能降壓DC/DC開關(guān)穩(wěn)壓器控制器，支持高達(dá)100 V的輸入電壓。ADI代理、原廠貨源 - 深圳市中芯巨能電子有限公司為您提供LTC7891：技術(shù)參數(shù)詳解、引腳圖、典型應(yīng)電路圖及現(xiàn)貨。

LTC7891技術(shù)參數(shù)詳解

專為GaN優(yōu)化的驅(qū)動(dòng)架構(gòu)

與硅MOSFET不同，GaN FET對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電壓、時(shí)序精度和過壓保護(hù)極為敏感。LTC7891通過其專有的GDN驅(qū)動(dòng)器技術(shù)，從架構(gòu)層面優(yōu)化了GaN應(yīng)用的可靠性與效率。

其內(nèi)部集成的智能自舉開關(guān)可防止在死區(qū)時(shí)間內(nèi)BOOST引腳至SW引腳之間的高端驅(qū)動(dòng)電源過度充電，有效避免頂部GaN FET柵源電壓（VGS）超過其最大額定值（通常為6 V），從而消除外部箝位二極管或環(huán)流電路的需求。

智能死區(qū)時(shí)間控制

LTC7891在內(nèi)部?jī)?yōu)化了上下管開關(guān)邊沿的柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)序，實(shí)現(xiàn)智能近零死區(qū)時(shí)間（Smart Near-Zero Dead Time），最大限度減少體二極管導(dǎo)通損耗，提升轉(zhuǎn)換效率。這一特性在高輸入電壓、低占空比應(yīng)用中尤為關(guān)鍵，可顯著降低熱損耗。

同時(shí)，設(shè)計(jì)人員也可通過外部電阻手動(dòng)調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間，用于系統(tǒng)裕量測(cè)試或特定應(yīng)用的時(shí)序定制，兼顧效率與可靠性。

可編程?hào)艠O驅(qū)動(dòng)與系統(tǒng)靈活性

LTC7891提供4 V至5.5 V范圍內(nèi)精確可調(diào)的柵極驅(qū)動(dòng)電壓（VGATE），可通過外部電阻分壓器設(shè)置。這一特性不僅適用于不同閾值電壓的GaN FET，還可兼容邏輯電平硅MOSFET，增強(qiáng)了方案的通用性。

其分流輸出柵極驅(qū)動(dòng)器支持可調(diào)的開通/關(guān)斷驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，允許設(shè)計(jì)人員優(yōu)化開關(guān)速度與EMI之間的平衡。此外，UVLO（欠壓鎖定）閾值也可通過外部電阻調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)靈活的電源序列控制。

關(guān)鍵性能參數(shù)

輸入電壓范圍：4 V 至 100 V

輸出電壓范圍：0.8 V 至 60 V

開關(guān)頻率：100 kHz 至 3 MHz（可編程）

頻率同步：支持外部時(shí)鐘鎖相（PLLIN）

展頻調(diào)制（SSFM）：可選，用于降低EMI

靜態(tài)電流：低至5 μA（輕載待機(jī)模式）

封裝：28引腳、4 mm × 5 mm 側(cè)面可濕性QFN（LQFN），便于光學(xué)檢測(cè)與高密度布局

LTC7891引腳圖

LTC7891典型應(yīng)用電路圖

典型應(yīng)用

LTC7891適用于對(duì)效率、功率密度和可靠性要求嚴(yán)苛的應(yīng)用場(chǎng)景：

工業(yè)電源系統(tǒng)：如PLC、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備

電信與數(shù)據(jù)中心電源：中間母線轉(zhuǎn)換、PoE++供電

軍事與航空電子：寬輸入電壓、高可靠性電源

醫(yī)療系統(tǒng)：需要低噪聲、高穩(wěn)定性的電源模塊

設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)與外圍簡(jiǎn)化

得益于其高度集成的設(shè)計(jì)，LTC7891無需外部保護(hù)二極管、陰極負(fù)載或復(fù)雜的柵極驅(qū)動(dòng)電路，大幅減少外圍元件數(shù)量，降低BOM成本與PCB面積。其寬輸入電壓范圍和高開關(guān)頻率能力，使其在高降壓比應(yīng)用中仍能保持高效率。

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