IPD600N25N3G是Infineon一款基于先進OptiMOS?3技術(shù)的N溝道功率MOSFET，采用PG-TO252-3（DPAK）封裝。該器件專為高效率、高頻率開關(guān)應(yīng)用設(shè)計，具備極低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷，適用于服務(wù)器電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動和同步整流等場景。來自全球授權(quán)Infineon代理商、原廠貨源-深圳市中芯巨能電子有限公司為您提供IPD600N25N3G：技術(shù)參數(shù)詳解、引腳圖及現(xiàn)貨。

IPD600N25N3G技術(shù)參數(shù)詳解

關(guān)鍵靜態(tài)參數(shù)

在VGS = 10V、ID = 25A、Tj = 25°C條件下，其漏源導(dǎo)通電阻RDS(on)最大值為60mΩ，典型值51mΩ，顯著降低導(dǎo)通損耗。器件耐壓V(BR)DSS為250V，支持25A連續(xù)漏極電流（TC=25°C），脈沖電流能力達(dá)100A。柵極閾值電壓VGS(th)典型值為3V（范圍2~4V），確保在10V驅(qū)動下完全導(dǎo)通。漏源擊穿電壓溫度系數(shù)穩(wěn)定，支持雪崩工作模式，單脈沖雪崩能量EAS達(dá)210mJ（ID=25A），具備較強的過壓耐受能力。

動態(tài)與開關(guān)特性

IPD600N25N3G優(yōu)化了柵極電荷與輸出電容，實現(xiàn)高速開關(guān)。在VDD=100V、VGS=10V、ID=12A、RG=1.6Ω測試條件下：

總柵極電荷Qg典型值22nC，最大29nC，降低驅(qū)動損耗。

柵源電荷Qgs為8nC，柵漏電荷Qgd為2nC，有助于抑制米勒效應(yīng)。

開關(guān)延遲與時間：開通延遲td(on)為10ns，上升時間tr為10ns，關(guān)斷延遲td(off)為22ns，下降時間tf為8ns，支持?jǐn)?shù)百kHz至MHz級開關(guān)頻率。

輸入電容Ciss典型值2350pF，輸出電容Coss為134pF，反向傳輸電容Crss為3pF，減小開關(guān)過程中的dv/dt和di/dt應(yīng)力。

反向二極管特性

集成體二極管支持連續(xù)正向電流IS=25A（TC=25°C），脈沖電流達(dá)100A。在VGS=0V、IF=25A、Tj=25°C條件下，正向壓降VSD典型值0.9V，最大1.2V。反向恢復(fù)時間trr典型值114ns（VR=100V, IF=12A, diF/dt=100A/μs），反向恢復(fù)電荷Qrr為700nC，表現(xiàn)優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)快恢復(fù)二極管，適用于需要體二極管參與換流的拓?fù)洹?/p>

熱與封裝特性

采用DPAK封裝，熱阻RthJC（結(jié)到殼）為1.1K/W，確保高效散熱。在最小焊盤PCB上，RthJA為75K/W；若提供6cm2銅箔散熱區(qū)，RthJA可降至50K/W。器件最大功耗Ptot為136W（TC=25°C），支持-55°C至175°C的工作與存儲溫度范圍，滿足嚴(yán)苛工業(yè)環(huán)境需求。

IPD600N25N3G引腳圖

IPD600N25N3G應(yīng)用設(shè)計要點

驅(qū)動設(shè)計：建議使用低阻抗驅(qū)動電路，確保10V以上柵壓快速充放電。因Qgd較小，需注意防止米勒平臺誤導(dǎo)通。

PCB布局：優(yōu)化源極回路，減小寄生電感，降低開關(guān)振鈴。建議使用4層板，大面積敷銅散熱。

SOA考慮：結(jié)合結(jié)溫、電壓電流限制，確保工作點位于安全工作區(qū)內(nèi)，尤其在硬開關(guān)條件下。

并聯(lián)使用：低RDS(on)溫度系數(shù)有利于并聯(lián)均流，但需匹配柵極驅(qū)動路徑。

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