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熱搜關(guān)鍵詞:
IGL65R080D2是英飛凌一款基于CoolGaN? G5技術(shù)的650V增強(qiáng)型(e-mode)氮化鎵(GaN)功率晶體管,專(zhuān)為高頻率、高效率電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì)。作為符合JEDEC可靠性標(biāo)準(zhǔn)(JESD47、JESD22)的高性能器件,該產(chǎn)品在開(kāi)關(guān)性能、熱管理與系統(tǒng)魯棒性方面表現(xiàn)卓越,適用于對(duì)尺寸、效率和功率密度要求嚴(yán)苛的現(xiàn)代電源系統(tǒng)。來(lái)自全球授權(quán)的英飛凌代理商、原廠貨源-深圳市中芯巨能電子有限公司為您提供IGL65R080D2:參數(shù)規(guī)格、引腳圖及現(xiàn)貨。
核心電氣特性
IGL65R080D2具備出色的動(dòng)態(tài)參數(shù),顯著降低開(kāi)關(guān)損耗,提升高頻工作下的整體效率:
低導(dǎo)通電阻:典型RDS(on)為80mΩ,減少傳導(dǎo)損耗;
超低寄生電荷:低柵極電荷(Qg)和低輸出電荷(Qoss),縮短開(kāi)關(guān)時(shí)間,支持MHz級(jí)開(kāi)關(guān)頻率;
無(wú)反向恢復(fù)電荷(Qrr = 0):得益于GaN材料特性,體二極管無(wú)反向恢復(fù)電流,消除關(guān)斷尖峰和相關(guān)損耗,簡(jiǎn)化死區(qū)時(shí)間設(shè)計(jì);
可反向?qū)ǎ褐С蛛p向電流流動(dòng),適用于圖騰柱PFC等先進(jìn)拓?fù)洌?/p>
低動(dòng)態(tài)RDS(on):在高頻硬開(kāi)關(guān)條件下仍保持穩(wěn)定的導(dǎo)通特性,避免傳統(tǒng)GaN器件常見(jiàn)的“current collapse”效應(yīng)。
此外,器件具備卓越的換向堅(jiān)固性(commutation ruggedness),在高dV/dt環(huán)境下可靠運(yùn)行,適用于LLC、軟開(kāi)關(guān)及諧振變換器架構(gòu)。
封裝與熱設(shè)計(jì)
采用底部冷卻ThinPAK封裝,該封裝具有以下優(yōu)勢(shì):
熱路徑直接從芯片底部傳導(dǎo)至PCB,實(shí)現(xiàn)高效散熱;
封裝高度僅約1mm,適合超薄設(shè)計(jì),如USB-C充電器、筆記本適配器等消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用;
引腳布局優(yōu)化,減小寄生電感,提升開(kāi)關(guān)速度并降低EMI風(fēng)險(xiǎn);
符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn),確保長(zhǎng)期可靠性與量產(chǎn)一致性。
該封裝無(wú)需額外絕緣墊片即可實(shí)現(xiàn)良好熱耦合,簡(jiǎn)化散熱設(shè)計(jì),尤其適用于多管并聯(lián)或高功率密度布局。
可靠性與保護(hù)特性
高ESD耐受能力:2kV HBM(人體模型)和1kV CDM(器件充電模型),增強(qiáng)生產(chǎn)與現(xiàn)場(chǎng)操作中的抗靜電能力;
基于英飛凌成熟的CoolGaN? G5工藝平臺(tái),通過(guò)嚴(yán)格的質(zhì)量認(rèn)證,確保高溫高壓下的長(zhǎng)期穩(wěn)定性;
器件經(jīng)過(guò)完整熱循環(huán)與HTGB(High Temperature Gate Bias)測(cè)試,滿足工業(yè)與數(shù)據(jù)中心級(jí)應(yīng)用要求。
USB-C PD適配器與快充:支持65W及以上高功率密度設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)小型化、高效能充電解決方案;
數(shù)據(jù)中心與AI服務(wù)器電源:用于48V中間母線轉(zhuǎn)換、VRM前端AC-DC模塊,提升能效,降低散熱需求;
電信基礎(chǔ)設(shè)施電源:在AC-DC整流與DC-DC前級(jí)中替代硅基MOSFET,提高系統(tǒng)效率與功率密度;
工業(yè)電源與高端計(jì)算設(shè)備:適用于高可靠性、高效率電源模塊設(shè)計(jì)。

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